Внутренний твердотельный накопитель SAMSUNG 990 EVO Plus, емкость 2 ТБ, интерфейс PCIe Gen 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0, поддержка чтения до 7250 МБ/с и записи до 6300 МБ/с, V-NAND TLC | MZ-V9S2T0BW Купить, Лучшая цена. Глобальная доставка.
Переключить на Темный режим

Внутренний твердотельный накопитель SAMSUNG 990 EVO Plus, емкость 2 ТБ, интерфейс PCIe Gen 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0, поддержка чтения до 7250 МБ/с и записи до 6300 МБ/с, V-NAND TLC | MZ-V9S2T0BW

Capacity: 2 TB
2 TB
US $ 169.73
4 TB
US $ 281.92
  • Гарантия:
    1 год    Легкое гарантийное обслуживание с глобальным охватом; расходы по доставке за наш счет*. Узнать больше
Сообщите о неверной или неуместной информации о продукте.
US $ 169.73
Продавец: Microless
Фулфилмент Microless
В наличии
  •  Состояние: Новый
  • Доставить Washington
    Доставка 26 апреля
    Если вы закажете в течение 22 часа, 31 минута

Сообщите о неверной или неуместной информации о продукте.



Описание для Внутренний твердотельный накопитель SAMSUNG 990 EVO Plus, емкость 2 ТБ, интерфейс PCIe Gen 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0, поддержка чтения до 7250 МБ/с и записи до 6300 МБ/с, V-NAND TLC | MZ-V9S2T0BW

 

990 EVO Plus

 

Specifications

 

Model Code (Capacity) MZ-V9S2T0BW (2TB)
General Features
Application Client PCs
Form Factor M.2 (2280)
Interface PCIe® Gen 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe™ 2.0
Dimension (WxHxD) 80.15 x 22.15 x 2.38mm
Weight Max 9.0g
Storage Memory Samsung V-NAND TLC
Controller Samsung in-house Controller
Cache Memory HMB (Host Memory Buffer)
Special Features
TRIM Support Supported
S.M.A.R.T Support Supported
GC (Garbage Collection) Auto Garbage Collection Algorithm
Encryption Support AES 256-bit Encryption (Class 0), TCG/Opal, IEEE1667 (Encrypted Drive)
WWN Support Not Supported
Device Sleep Mode Support Yes
Performance
Sequential Read Up to 7,250 MB/s
Sequential Write Up to 6,300 MB/s
Random Read (4KB, QD32) Up to 1,000,000 IOPS
Random Write (4KB, QD32) Up to 1,350,000 IOPS
Environment
Average Power Consumption Read 4.6W / Write 4.2W
Power Consumption (Idle) Typical 60mW for all capacities
Power Consumption (Sleep) Typical 5mW for all capacities
Allowable Voltage 3.3V ± 5%
Reliability (MTBF) 1.5 Million Hours
Operating Temperature 0 - 70°C
Shock Resistance 1,500 G & 0.5 ms (Half sine)


Доставка по всему миру в течение 4-8 дней
Мы предлагаем экспресс-доставку по всему миру для Внутренний твердотельный накопитель SAMSUNG 990 EVO Plus, емкость 2 ТБ, интерфейс PCIe Gen 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0, поддержка чтения до 7250 МБ/с и записи до 6300 МБ/с, V-NAND TLC | MZ-V9S2T0BW.

Гарантия лучшей цены
Мы предлагаем лучшую цену на Внутренний твердотельный накопитель SAMSUNG 990 EVO Plus, емкость 2 ТБ, интерфейс PCIe Gen 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0, поддержка чтения до 7250 МБ/с и записи до 6300 МБ/с, V-NAND TLC | MZ-V9S2T0BW . Купите сейчас по лучшей цене!


Читать далее

Спецификации для Внутренний твердотельный накопитель SAMSUNG 990 EVO Plus, емкость 2 ТБ, интерфейс PCIe Gen 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0, поддержка чтения до 7250 МБ/с и записи до 6300 МБ/с, V-NAND TLC | MZ-V9S2T0BW

Общие
Бренд
Модель
  • 990 EVO Plus
Артикул Microless
  • 224349
Рейтинг бестселлеров
Дата первой доступности
  • 24 декабря, 2024
Вес с упаковкой
  • 0.10 кг
Транспортировочные размеры
  • 2.50 см x 10.00 см x 14.51 см
Фактор формы
  • M.2


Отзывы для Внутренний твердотельный накопитель SAMSUNG 990 EVO Plus, емкость 2 ТБ, интерфейс PCIe Gen 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0, поддержка чтения до 7250 МБ/с и записи до 6300 МБ/с, V-NAND TLC | MZ-V9S2T0BW

0
Отзывов пока нет
Для расчета общего рейтинга звезд и процентного распределения по звездам мы не используем простое среднее значение. Вместо этого наша система учитывает такие факторы, как недавность отзыва и покупал ли пользователь товар на Microless. Она также анализирует отзывы для проверки их достоверности.
Будьте первым, кто оставит отзыв об этом товаре

Спасибо за оценку!
Напишите полный отзыв.
Выберите изображения